2024年3月29日，美国BIS再次发布新规，补充了对计算机、服务器等整机产品的限制，并增加对部分国家或地区的“推定拒绝”措施以及对特定产品采取“批准推定”或“逐案审查”，预计于4月4日开始实施。在美国半导体出口管制逐步趋严情况下，算力和先进制造领域国产化有望进一步提速，建议关注国内算力、先进封装及关键半导体设备、零部件等领域标的。
美国BIS公布算力芯片和半导体先进制造等领域的出口管制新规，整体趋严，预计4月4日开始实施。1）2023年10月新规：2023年10月17日，美国BIS发布关于半导体算力芯片及先进制造领域的出口管制条例，以对2022年10月的出口管制条例进行补充，已于11月17日正式实施。在算力方面，条令对AI芯片性能参数进行更为严格的规定，并将壁仞科技、摩尔线程等13家中方企业列入实体清单；在半导体先进制造领域，对光刻、沉积、刻蚀、离子注入、外延、清洗、退火等核心设备，以及配套的掩膜版、晶圆处理系统等核心材料和零部件进行细致的出口管制规定；2）本次新规：2024年3月29日，美国BIS再次发布新一版的出口管制条令，对中国澳门和D:5国家组实行“推定拒绝”措施，对于符合特定要求的产品，则分别实施“批准推定”或“逐案审查”措施；同时，新规对算力领域的限制扩大至计算机和服务器整体产品等，但对半导体先进制造领域并未做出太多补充修订，仅明确了个别参数和单位等的说明。本次出口管制修正版预计于4月4日正式实施。
美国BIS新规在算力领域管制范围略有扩大，增加对符合条件的计算机和服务器等组装整机产品的管制。2023年10月份美国BIS法规对于用于AI训练的高算力芯片提出使用TPP（总处理性能）和PD（性能密度）两项指标进行更严格的管制，3A090规定下主流的GB200/H100/H800/A100/A800等训练芯片和L40s等推理芯片均受到出口管制，10月17日文件更是将壁仞和摩尔线程等列入实体名单。
上周五新规文件更新表示，对于包含满足3A090.a和3A090.b限制要求的计算机或服务器整机组装类产品，同样实施出口管制。
半导体先进制造领域出口管制围绕光刻、沉积、刻蚀等关键设备以及配套的零部件和材料。本次新规和上一版变动不大，调整主要为个别单位等的修正，仍是围绕光刻、沉积、刻蚀、离子注入、外延等核心半导体设备，以及掩膜版、晶圆处理系统等关键零部件和材料。1）光刻设备：对曝光式光刻机，新规对光源波长小于193nm，或光源波长大于193nm，但分辨率≤45nm以及最大DCO＜2.4nm的设备进行管制；新规还对符合条件和掩模制造设备、激光直写光刻机和45nm以下的压印式光刻机进行出口管制；2）沉积设备：出口管制范围包括钴、钨等金属，以及各种介质，对电镀、PECVD、ALD等多种设备进行细致的限制；3）刻蚀设备：对锗硅：硅的刻蚀选择比要求小于100:1，并对具备符合条件的射频电源、阀门、静电卡盘的异性干法刻蚀机台进行限制；4）其他设备：包括离子注入、外延、退火、清洗等设备；5）零部件和材料：主要对中央晶圆处理系统和部分EUV掩膜版进行出口管制。